單項選擇題如果計算位于厚度Z的不均勻性組織后的某一點深出d處的劑量，應(yīng)先計算該點的等效深度deff，其計算公式是（）

A.deff=d+Z（1-CET）
B.deff=d-Z（1-CET）
C.deff=d+Z（1+CET）
D.deff=d-Z（1+CET）
E.deff=d+Z-CET


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1.單項選擇題帶電粒子與重原子核發(fā)生彈性碰撞時，下列描述中錯誤的是（）

A.帶電粒子的運動方向和速度發(fā)生變化
B.碰撞后絕大部分能量由散射粒子帶走
C.相互作用過程中原子核不激發(fā)不輻射光子
D.帶電粒子能量低時彈性散射截面大
E.碰撞后絕大部分能量由原子核獲得

2.單項選擇題對一定能量的特定帶電粒子在相互作用過程中，其電離損失在哪一階段最大（）

A.相互作用的初始階段
B.帶電粒子損失一定能量之后
C.能量接近耗盡時
D.不同帶電粒子有不同行為
E.整個相互作用過程中電離損失不變

3.單項選擇題半價層HVL與線性吸收系數(shù)μ的關(guān)系為（）

A.μ•HVL=0.693
B.μ/HVL=0.693
C.μ•HVL=0.963
D.μ/HVL=0.963
E.無固定關(guān)系

4.單項選擇題線性能量轉(zhuǎn)移系數(shù)是用來描述（）

A.X（γ）射線與物質(zhì)相互作用中，單位長度的能量損失份額
B.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中，單位長度的能量損失份額
C.X（γ）射線與物質(zhì)相互作用中，單位長度的相互作用幾率
D.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中，單位質(zhì)量厚度的能量損失份額
E.X（γ）射線與物質(zhì)相互作用中，單位質(zhì)量厚度的相互作用幾率

5.單項選擇題由自由電子參與導電并形成電流的硅晶體稱為（）硅晶體。

A.“M”型
B.“N”型
C.“L”型
D.“P”型
E.“F”型