A.“M”型
B.“N”型
C.“L”型
D.“P”型
E.“F”型
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A.0.3r
B.0.4r
C.0.5r
D.0.75r
E.幾何中心
A.傳能線密度
B.線性碰撞阻止
C.質(zhì)量碰撞阻止
D.線性衰減系數(shù)
E.質(zhì)量衰減系數(shù)
A.入射帶電粒子與核外電子之間的庫侖力相互作用,使軌道電子獲得足夠的能量而引起原子電離
B.軌道電子獲得的能量不足以引起電離時,則會引起原子激發(fā)
C.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時,會放出γ射線
D.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時,釋放出特征X射線或俄歇電子
E.被電離出來的軌道電子具有足夠的能量可進一步引起物質(zhì)電離,此稱為次級電離
A.原子核
B.同位素
C.核素
D.元素
E.核電荷素
A.1-10Kev
B.10-30Kev
C.30Kev-25Mev
D.25Mev-100Mev
E.100Mev-125Mev
最新試題
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應(yīng)采用雙平面插植。
對射野輸出劑量的檢測頻率,加速器高于鈷60機。
影響靶點位置精確度的因素包括機械精度,定位精度和擺位精度。
α/β不僅代表了細胞存活曲線的曲度,也代表了細胞對亞致死損傷的修復(fù)能力。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
帶電粒子入射到物體時,沒有確定的射程。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。