A.傳能線密度
B.線性碰撞阻止
C.質量碰撞阻止
D.線性衰減系數(shù)
E.質量衰減系數(shù)
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A.入射帶電粒子與核外電子之間的庫侖力相互作用,使軌道電子獲得足夠的能量而引起原子電離
B.軌道電子獲得的能量不足以引起電離時,則會引起原子激發(fā)
C.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時,會放出γ射線
D.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時,釋放出特征X射線或俄歇電子
E.被電離出來的軌道電子具有足夠的能量可進一步引起物質電離,此稱為次級電離
A.原子核
B.同位素
C.核素
D.元素
E.核電荷素
A.1-10Kev
B.10-30Kev
C.30Kev-25Mev
D.25Mev-100Mev
E.100Mev-125Mev
A.K層
B.L層
C.M層
D.N層
E.P層
A.25
B.28
C.35
D.52
E.82
最新試題
對重離子,線性碰撞本領是選擇組織替代材料的首要條件。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
電磁掃描調強不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時間短的優(yōu)點,而且可實現(xiàn)電子束、質子束的調強治療。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應因素。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應采用雙平面插植。
光電效應時入射X(γ)光子的能量一部分轉化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
隨能量增大,光電效應發(fā)生的概率迅速減小。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。