你可能感興趣的試題

單項選擇題
對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序為（）。
A.沸石>螢石>MgO
B.沸石>MgO>螢石
C.螢石>沸石>MgO
D.螢石>MgO>沸石
單項選擇題
硅酸鹽晶體的分類原則是（）。
A.正負(fù)離子的個數(shù)
B.結(jié)構(gòu)中的硅氧比
C.化學(xué)組成
D.離子半徑
單項選擇題
螢石晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為8，F(xiàn)^-配位數(shù)為（）。
A.2
B.4
C.6
D.8
單項選擇題
螢石晶體可以看作是Ca²⁺作面心立方堆積，F(xiàn)⁺填充了（）。
A.八面體空隙的半數(shù)
B.四面體空隙的半數(shù)
C.全部八面體空隙
D.全部四面體空隙
單項選擇題
MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個單位晶胞中有（）個MgO分子。
A.2
B.4
C.6
D.8
單項選擇題
CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs⁺填充在Cl^-所構(gòu)成的（）空隙中。
A.全部四面體
B.全部八面體
C.全部立方體
D.1/2八面體
單項選擇題
NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na⁺填充在Cl^-所構(gòu)成的（）空隙中。
A.全部四面體
B.全部八面體
C.1/2四面體
D.1/2八面體
單項選擇題
氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（）。
A.5
B.6
C.4
D.3
單項選擇題
離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（），離子配位數(shù)（）。
A.增大，降低
B.減小，降低
C.減小，增大
D.增大，增大
單項選擇題
極化會對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。
A.共價鍵向離子鍵
B.離子鍵向共價鍵
C.金屬鍵向共價鍵
D.鍵金屬向離子鍵

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根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（）。

你可能感興趣的試題

對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序為（）。

硅酸鹽晶體的分類原則是（）。

螢石晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為8，F(xiàn)^-配位數(shù)為（）。

螢石晶體可以看作是Ca²⁺作面心立方堆積，F(xiàn)⁺填充了（）。

MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個單位晶胞中有（）個MgO分子。

CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs⁺填充在Cl^-所構(gòu)成的（）空隙中。

NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na⁺填充在Cl^-所構(gòu)成的（）空隙中。

氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（）。

離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（），離子配位數(shù)（）。

極化會對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。

根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（）。

你可能感興趣的試題

對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序為（）。

硅酸鹽晶體的分類原則是（）。

螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為（）。

螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)+填充了（）。

MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個單位晶胞中有（）個MgO分子。

CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs+填充在Cl-所構(gòu)成的（）空隙中。

NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na+填充在Cl-所構(gòu)成的（）空隙中。

氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（）。

離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（），離子配位數(shù)（）。

極化會對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。

根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（）。

對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序為（）。

硅酸鹽晶體的分類原則是（）。

螢石晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為8，F(xiàn)^-配位數(shù)為（）。

螢石晶體可以看作是Ca²⁺作面心立方堆積，F(xiàn)⁺填充了（）。

MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個單位晶胞中有（）個MgO分子。

CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs⁺填充在Cl^-所構(gòu)成的（）空隙中。

NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na⁺填充在Cl^-所構(gòu)成的（）空隙中。

氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（）。

離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（），離子配位數(shù)（）。

極化會對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。