亚洲精品亚洲人成在线,欧美激情一区二区亚洲专区

問答題輕摻雜的硅樣品在室外溫下，外加電壓使電子的漂移速度是它的熱運動速度的十分之一，一個電子由于漂移而通過1μm區(qū)域中的平均碰撞次數(shù)和此時加在這個區(qū)域的電壓為多少？

1.問答題 （1）證明，且電子濃度，空穴濃度時，材料的電導率σ最小，并求出σ_min的表達式。
（2）試求300K時，InSb的最小電導率和最大電導率，什么導電類型的材料電阻率可達最大？（T=300K時，InSb的）

2.問答題 分別計算有下列雜質的硅，在室溫時的載流子濃度和電阻率；
（1）3×10¹⁵硼原子/cm³
（2）1.3×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁶磷原子/cm³
（3）1.3×10¹⁶磷原子/cm³+1.0×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁷砷原子/cm³

3.問答題 一截在為10^-3cm²，摻有雜質濃度N_A=10₁₃/cm³的P型硅樣品，在樣品內加有強度為10³V/cm的電場，求：
（1）室外溫時樣品的電導率及流過樣品的電流密度。
（2）400K時樣品的電導率及流過樣品的電流密度。

4.問答題一截面為0.6cm²，長為1cm的n型GaAs樣品，設μ_n=8000cm²/V.s，n=10¹⁵cm³，試求該樣品的電阻。

5.問答題設電子遷移率為0.1cm²/V.s，硅的電子有效質量m_cn=0.26m₀，如加以強度為10⁴V/m的電場，試求平均自由時間和平均自由程。