A.交叉連接
B.接通連接
C.硬線連接
D.斷開連接
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A.熔絲和反熔絲編程器件
B.UEPROM編程器件
C.EEPROM編程器件
D.SRAM編程器件
A.可編程邏輯宏單元
B.可編程I/O單元
C.可編程寄存器
D.可編程內(nèi)部連線
A.可編程的與—或陣列
B.可編程寄存器
C.可編程I/O
D.可編程的與非陣列
A.可在線編程
B.可重復(fù)編程
C.可電檫寫
D.可設(shè)置加密位
A.EPROM
B.EEPROM
C.PLA
D.PAL
最新試題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了()對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
根據(jù)什么判斷簡單電路中的險(xiǎn)象存在?
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請說明理由。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門,可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()