多項(xiàng)選擇題PLD的設(shè)計(jì)方法主要有()。
A.積木式
B.模塊式
C.自下而上式
D.自上而下式
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1.多項(xiàng)選擇題下列PLD電路的或陣列可編程的器件是()。
A.PROM
B.FPLA
C.PAL
D.GAL
2.多項(xiàng)選擇題下列PLD電路的與陣列可編程的器件是()。
A.PROM
B.FPLA
C.PAL
D.GAL
3.多項(xiàng)選擇題下列常用的集成ADC屬于雙積分型的有()
A.ICL7107
B.AD574A
C.ICL7106
D.ADC0809
4.多項(xiàng)選擇題下列對雙積分型ADC特點(diǎn)的描述,正確的是()。
A.抗交流干擾能力強(qiáng)
B.工作性能穩(wěn)定
C.工作速度高
D.工作速度低
5.多項(xiàng)選擇題三位并行比較型ADC是一種快速ADC,它由()三部分組成。
A.電子開關(guān)
B.電壓比較其
C.緩沖寄存器
D.編碼器
最新試題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?
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利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門,可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
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TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
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兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會()。
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用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
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小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
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用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
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7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
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DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
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