A.取樣-保持電路
B.量化電路
C.編碼電路
D.譯碼電路
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A.1/10
B.1/100
C.1/1023
D.1/1024
A.1/3
B.1/10
C.1/999
D.1/1000
A.權(quán)電阻D/A轉(zhuǎn)換器
B.T型D/A轉(zhuǎn)換器
C.倒T型D/A轉(zhuǎn)換器
D.開關(guān)樹型D/A轉(zhuǎn)換器
A.數(shù)碼鎖存器
B.電子開關(guān)
C.電阻網(wǎng)絡(luò)
D.譯碼器
A.分解度
B.線性度
C.功率消耗
D.轉(zhuǎn)換精度和轉(zhuǎn)換速度
最新試題
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
電可擦除的PROM器件是()
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了()對轉(zhuǎn)換精度的影響。
根據(jù)什么判斷簡單電路中的險(xiǎn)象存在?
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。