對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后，缺陷的埋藏深度可從熒光屏的（）上讀出。

缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。

當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）

特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì)，它反映子實(shí)體滿足需要的（）

當(dāng)波束中心線與缺陷面（）且回波最（）時(shí)，移動(dòng)探頭使波束中心（），回波高度當(dāng)隨之下降。

在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）

對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。

掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。

對(duì)于圓盤(pán)形試件，常沿（）在圓面上進(jìn)行掃查。

隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量（）測(cè)量功能的通用型儀器。