A、底面反射
B、表面反射
C、缺陷反射
D、雜波
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A、結(jié)構(gòu)反射和變型波
B、板材底面回波
C、三角反射
D、以上全部
A、側(cè)壁干擾
B、61°角反射波
C、工件底面不平
D、以上都對
A、應(yīng)使用直探頭
B、要使用大晶片探頭
C、壓電元件應(yīng)在其基頻上激發(fā)
D、探頭的頻帶應(yīng)盡可能寬
A、1/2λ以上
B、2λ以上
C、4λ以上
D、以上都不對
A、探頭耦合面幾何尺寸來決定
B、根據(jù)試塊材料決定
C、幾何尺寸可能產(chǎn)生的干擾雜波必須比參考回波遲到4λ以上
D、以上都不對
最新試題
缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的（）
掃查方式一般視試件的（）而定。
渦流探傷中平底盲孔缺陷對于管壁的（）具有較好的代表性，因此在在役管材的渦流檢測中較多采用。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇，則回波（）
在聲束垂直試件表面時(shí)，所獲得的（）反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
渦流檢測中的對比試樣的（）和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）