單項(xiàng)選擇題試塊的最小幾何尺寸根據(jù)()。

A、探頭耦合面幾何尺寸來(lái)決定
B、根據(jù)試塊材料決定
C、幾何尺寸可能產(chǎn)生的干擾雜波必須比參考回波遲到4λ以上
D、以上都不對(duì)


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1.單項(xiàng)選擇題采用雙晶直探頭檢驗(yàn)大口徑“管座角焊縫”時(shí),調(diào)節(jié)探傷靈敏度應(yīng)采用()。

A、底波計(jì)算法
B、試塊法
C、通用AVG曲線法
D、以上都可以

2.單項(xiàng)選擇題直接接觸法探傷可以使用()。

A、直探頭
B、斜探頭
C、雙晶探頭
D、以上都可以

3.單項(xiàng)選擇題下列()晶片發(fā)射縱波的近場(chǎng)區(qū)最長(zhǎng)。

A、1MHzφ14mm
B、2.5MHzφ14mm
C、1MHzφ20mm
D、25MHzφ30mm

4.單項(xiàng)選擇題以下()1MHz探頭通常具有最佳的時(shí)間或垂直距離的分辨力。

A、無(wú)背襯石英探頭
B、帶酚醛樹脂背襯的石英探頭
C、帶酚醛樹脂背襯的鈦酸鋇探頭
D、帶環(huán)氧樹脂背襯的硫酸鋰探頭

5.單項(xiàng)選擇題2.5PB20Z表示()。

A、頻率為2.5MHz
B、圓晶片直徑為20㎜
C、晶片材料為鈦酸鋇陶瓷
D、以上都對(duì)

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當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()

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隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量()測(cè)量功能的通用型儀器。

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