A、r/D<86%時(shí),用K=1的探頭
B、r/D≤96%時(shí),用K=2的探頭
C、r/D≤97.5%時(shí),用K=2.5的探頭
D、以上都對(duì)
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A、CL:CS:CR≈1.8:2.0:1
B、CL:CS:CR≈1:1:1
C、CL:CS:CR≈1.8:1.0:0.9
D、CL:CS:CR≈1:2.0:4
A、1/2倍
B、1/4倍
C、2倍
D、4倍
A、第三臨界角
B、第一臨界角
C、第二臨界角
D、半擴(kuò)散角
A、第二臨界角
B、第一臨界角
C、第三臨界角
D、以上都不對(duì)
A、橫波波全反射
B、縱波波全反射
C、表面波全反射
D、以上都不對(duì)
最新試題
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
各類渦流檢測(cè)儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。