鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

硅片拋光在原理上不可分為（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；