A.1:10
B.1:100
C.1:1000
D.1:10000
E.1:100000
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A.非晶硒
B.碘化銫
C.鎢酸鈣
D.非晶硅
E.CCD
A.薄膜晶體管技術(shù)
B.光敏照相機(jī)技術(shù)
C.光電倍增管技術(shù)
D.光激勵發(fā)光技術(shù)
E.非晶硒技術(shù)
A.Ⅱ+TV攝像機(jī)
B.成像板
C.閃爍體+CCD攝像機(jī)陣列
D.直接轉(zhuǎn)換平板探測器
E.間接轉(zhuǎn)換平板探測器
A.硒鼓檢測器
B.IP成像轉(zhuǎn)換器
C.直接轉(zhuǎn)換平板探測器
D.間接轉(zhuǎn)換平板探測器
E.多絲正比室檢測器
A.成像方式
B.操作方式
C.床旁攝影
D.可應(yīng)用于常規(guī)攝影
E.與常規(guī)X線設(shè)備匹配
最新試題
光激勵熒光體中,為改變熒光體的結(jié)構(gòu)和物理特性常摻入()
關(guān)于CR攝影系統(tǒng)的影像板,以下說法不正確的是()
直接平板探測器的線性度范圍是()
CR的中文全稱為()DR的中文全稱為()
FPD能夠成為平板形狀,主要是探測器的單元陣列采用的是()
CR是利用什么進(jìn)行成像的()
CR系統(tǒng)用成像板(IP)來接收X線的模擬信息,然后經(jīng)過模/數(shù)轉(zhuǎn)換來實現(xiàn)影像的數(shù)字化。對IP的曝光過程就是信息采集。關(guān)于CR的信息采集敘述錯誤的是()
透過被照體的X線照射到平板探測器的非晶硒層時,由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對,即一對正負(fù)電子。該電子-空穴對在外加偏置電壓形成的電場作用下被分離并反向運(yùn)動,負(fù)電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負(fù)極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號被存儲在TFT的極間電容上。每個TFT形成一個采集圖像的最小單元,即像素。每個像素區(qū)內(nèi)有一個場效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號時起開關(guān)作用。在讀出控制信號的控制下,開關(guān)導(dǎo)通,把存儲于電容內(nèi)的像素信號逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號。關(guān)于該平板探測器的敘述錯誤的是()
關(guān)于平板探測器的敘述,錯誤的是()
數(shù)字化X射線成像系統(tǒng)的量子檢測率可達(dá)()