問答題本征硅在室溫時(shí)電子和空穴遷移分別為1350cm2/V.s和500cm2/V.s,當(dāng)摻入百萬分之一的As后,設(shè)雜質(zhì)全部電離,試計(jì)算其電導(dǎo)率比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍?

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題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題