本征半導體中，從價帶激發(fā)至導帶的電子和價帶產(chǎn)生的空穴參與電導。激發(fā)的電子數(shù)n可近似表示為：，式中N為狀態(tài)密度，k為波爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度。試回答以下問題： 
（1）設(shè)N=10²³cm^-3，k=8.6″×10^-5eV.K^-1時， Si（Eg=1.1eV），TiO₂（Eg=3.0eV）在室溫（20℃）和500℃時所激發(fā)的電子數(shù)（cm^-3）各是多少？
（2）半導體的電導率σ（Ω^-1.cm^-1）可表示為，式中n為載流子濃度（cm^-3），e為載流子電荷（電荷1.6×10^-19C），μ為遷移率（cm².V^-1.s^-1）當電子（e）和空穴（h）同時為載流子時，
假定Si的遷移率μe=1450（cm².V^-1.s^-1），μ_h=500（cm².V^-1.s^-1），且不隨溫度變化。求Si在室溫（20℃）和500℃時的電導率。

根據(jù)缺陷化學原理推導
（1）ZnO電導率與氧分壓的關(guān)系。 
（2）在具有陰離子空位TiO_2-x非化學計量化合物中，其電導率與氧分壓的關(guān)系。 
（3）在具有陽離子空位Fe_1-xO非化學計量化合物中，其電導率與氧分壓的關(guān)系。 
（4）討論添加Al₂O₃對NiO電導率的影響。