A.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機(jī)應(yīng)操作靈活，并應(yīng)固定和移動(dòng)方便
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
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A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
A、《砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》
B、《砌體結(jié)構(gòu)工程施工質(zhì)量驗(yàn)收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質(zhì)量驗(yàn)收統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》
D、《砌體基本力學(xué)性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》
E、《砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)》
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)報(bào)告單
C、各檢驗(yàn)批的主控項(xiàng)目、一般項(xiàng)目的驗(yàn)收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙
A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
下列是晶體的是（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）