多項(xiàng)選擇題原位雙剪法指采用原位剪切儀在墻體上對(duì)（）順磚進(jìn)行雙面抗剪測(cè)試，檢測(cè)砌體抗剪強(qiáng)度的方法。

A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體


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1.多項(xiàng)選擇題砌體工程驗(yàn)收前，應(yīng)提供下列文件和記錄（）。

A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)報(bào)告單
C、各檢驗(yàn)批的主控項(xiàng)目、一般項(xiàng)目的驗(yàn)收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙

3.多項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)時(shí)，原位軸壓法試驗(yàn)正式測(cè)試時(shí)，應(yīng)分級(jí)加荷，以下說法正確的是（）。

A、每級(jí)荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B、應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完，然后恒載2min
C、加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
D、加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞

4.多項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)中測(cè)區(qū)指在一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi)，隨機(jī)布置的（）檢測(cè)區(qū)域。

A、一個(gè)
B、二個(gè)
C、若干個(gè)
D、三個(gè)
E、以上都不對(duì)

5.多項(xiàng)選擇題砌體工程施工中，石材及砂漿強(qiáng)度等級(jí)必須符合設(shè)計(jì)要求。檢驗(yàn)方法包括（）。

A、料石檢查產(chǎn)品質(zhì)量證明書
B、石材試驗(yàn)報(bào)告
C、砂漿試塊試驗(yàn)報(bào)告
D、產(chǎn)品使用說明書

最新試題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

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硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

題型：多項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題