A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、150×150×300mm棱柱體
D、Φ150×300mm圓柱體
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C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
A、抗壓強(qiáng)度
B、抗折強(qiáng)度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
A、規(guī)范砼試驗(yàn)方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗(yàn)方法
C、統(tǒng)一砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法
D、提高砼試驗(yàn)精度和試驗(yàn)水平
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細(xì)骨料修正系數(shù)（0.16mm以下粉料修正）測定
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
可用作硅片的研磨材料是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
PN結(jié)的基本特性是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法