A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細骨料修正系數(shù)(0.16mm以下粉料修正)測定
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你可能感興趣的試題
A、孔徑為5mm和0.16mm的標準篩
B、振動臺
C、臺秤
D、分光光度計
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動大的
C、強度等級高的
D、特細砂配制的
A、水泥/或膠凝材料
B、砼外加劑
C、砂、石骨料
D、水
A、由容器和蓋體兩部分組成
B、容器應由軟質塑料制成,容積為7L
C、蓋體部分包括有氣室、水找平室、加水閥、排水閥、操作閥、進氣閥、排氣閥及壓力表
D、壓力表的量程為0~6MPa,精度為1MPa
A、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種氣壓法的含氣量試驗方法
B、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種水壓法的含氣量試驗方法
C、砼拌合物含氣量通常是指不包含骨料組分材料本身含氣量在內的含氣量
D、適用于各種骨料最粒徑的砼拌合物含氣量測定
最新試題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列是晶體的是()。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
可用作硅片的研磨材料是()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()