A、20±5
B、20±3
C、30±3
D、40±5
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A、1.2
B、2.4
C、3.6
D、1.5.3
A、55±5
B、40±5
C、80±5
D、90±5
A、100mm×100mm×100mm.5組
B、100mm×100mm×300mm.5組
C、100mm×100mm×400mm.5組
D、100mm×100mm×100mm.1組
A、5
B、10
C、15
D、20
A、1
B、2
C、4
D、5
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。