A.停顯液為酸性溶液
B.使用停顯液可防止兩色性霧翳產(chǎn)生
C.使用停顯影可防止定影液被污染
D.為防止藥膜損傷,可在停顯液中加入堅膜劑無水亞硫酸鈉
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A.氧化
B.還原
C.抑制
D.水解
A.酸性溶液;
B.堿性溶液;
C.中性溶液;
D.三者均不是。
A.20分鐘
B.底片通透即可
C.通透時間的2倍
D.30分鐘
A.使未曝光的溴化銀粒子脫落;
B.驅(qū)除附在底片表面的氣孔,使顯影均勻,加快顯影;
C.使曝過光的溴化銀加速溶解;
D.以上全是。
A.環(huán)縫雙壁單影透照,搭接標(biāo)記放在膠片側(cè);
B.環(huán)縫單壁外透法,搭接標(biāo)記放在膠片側(cè);
C.縱縫單壁外透法,搭接標(biāo)記放在射源側(cè);
D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。
最新試題
對于厚度變化較大的變截面工件透照,只要底片黑度符合GJB1187A的要求時,就可采用多膠片技術(shù)。
對于圓柱導(dǎo)體的外通過式線圈,其阻抗變大的情況有()
對含有內(nèi)穿過式線圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()
像質(zhì)計放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。
二次打底焊接或重熔排除,無需辦理相關(guān)手續(xù),直接使用前次的申請手續(xù)。
為了提高射線照相對比度,可以采用高電壓、短時間、大管電流的方式曝光。
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請、檢驗蓋章認(rèn)可后送X光檢測。
缺陷分類應(yīng)符合驗收標(biāo)準(zhǔn)的要求,標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線照相檢驗范疇的缺陷,必要時可予以注明供有關(guān)人員參考,但不作為合格與否判定的依據(jù)。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()
焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是()。