A.使未曝光的溴化銀粒子脫落；
B.驅(qū)除附在底片表面的氣孔，使顯影均勻，加快顯影；
C.使曝過光的溴化銀加速溶解；
D.以上全是。
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A.環(huán)縫雙壁單影透照，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
B.環(huán)縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
C.縱縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在射源側(cè)；
D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。
A.管電壓、管電流、曝光時(shí)間；
B.管電壓、曝光量、焦距
C.管電流、曝光時(shí)間、焦距；
D.底片黑度、曝光量、焦距。
A.較高電壓、較短時(shí)間；
B.較高電壓、較長(zhǎng)時(shí)間；
C.較低電壓、較短時(shí)間；
D.較低電壓、較長(zhǎng)時(shí)間。
A.提高橫向裂紋檢出率；
B.減小幾何不清晰度；
C.增大厚度寬容度；
D.提高底片對(duì)比度。
A.鉛箔劃傷部位厚度減薄，對(duì)射線吸收減小，從而使該處透射線時(shí)增多；
B.劃傷使鉛箔表面增大，因而發(fā)射電子的面積增大，增感作用加強(qiáng)；
C.深度劃傷與膠片之間的間隙增大，散射線增加；
D.以上都對(duì)。
最新試題
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見的要求，經(jīng)表面檢驗(yàn)合格，申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。
X射線檢驗(yàn)人員負(fù)責(zé)對(duì)需排除的超標(biāo)缺陷實(shí)施定位、做好相應(yīng)標(biāo)注，確保定位準(zhǔn)確。
底片或電子圖片、X射線照相檢驗(yàn)記錄、射線檢測(cè)報(bào)告副本、檢測(cè)報(bào)告等及臺(tái)帳由X光透視人員負(fù)責(zé)管理。
對(duì)焊接接頭穩(wěn)定時(shí)間有規(guī)定的產(chǎn)品，工藝規(guī)程應(yīng)作出規(guī)定，檢驗(yàn)監(jiān)控確認(rèn)，檢驗(yàn)蓋章時(shí)穩(wěn)定時(shí)間不足者應(yīng)在申請(qǐng)單注明穩(wěn)定時(shí)間節(jié)點(diǎn)，否則X光室視為穩(wěn)定時(shí)間符合要求。
增加工藝性透視有利于保證焊接質(zhì)量，因此盡可能增加工藝性透視次數(shù)。
探傷人員在透視間內(nèi)發(fā)現(xiàn)輻射正在進(jìn)行應(yīng)立即（）。
廢舊藥液應(yīng)采用專用容器收集，定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
二次打底焊接或重熔排除，無(wú)需辦理相關(guān)手續(xù)，直接使用前次的申請(qǐng)手續(xù)。
航天無(wú)損檢測(cè)人員的資格分為三個(gè)等級(jí)：Ⅰ級(jí)為初級(jí)，Ⅱ級(jí)為中級(jí)，Ⅲ級(jí)為高級(jí)。其中Ⅱ級(jí)人員應(yīng)具備的能力有（）。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家（）