A、先調(diào)整零點(diǎn)
B、經(jīng)常用已知黑度的底片校準(zhǔn)
C、以上都對(duì)
D、以上都錯(cuò)
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A、波長(zhǎng)變化不完全成比例
B、管電壓和X射線設(shè)備的電壓波形隨負(fù)載發(fā)生變化
C、電流在線性比率上才能改變
D、散射線不能按比率變化
A、放大
B、變形
C、模糊
D、以上都對(duì)
A、射源至試件距離越遠(yuǎn),影像放大得越大
B、射源至試件的距離與試件至底片距離之比越大,影像放大得越大
C、射源至試件的距離與試件至底片距離之比越小,影像放大得越大
D、射源至試件的距離與影像放大無(wú)關(guān)
A、射源至底片的距離
B、曝光時(shí)間
C、KV
D、mA
A、第一次較易檢出缺陷
B、第二次較易檢出缺陷
C、對(duì)于缺陷檢出力無(wú)法比較
D、以上都對(duì)
最新試題
射線經(jīng)過(guò)一個(gè)半價(jià)層后,其()衰減一半。
表征平面圓晶片發(fā)射的超聲束特征的主要是()
與直探頭相比,雙晶探頭()
化學(xué)清洗用于去除工件表面的()
采用X射線機(jī)對(duì)某一工件探傷時(shí),焦距為1m,曝光時(shí)間為6min,其余條件均不變,曝光時(shí)間改為3min時(shí)透照焦距應(yīng)改為()
在探傷靈敏度確定后,缺陷的當(dāng)量大?。ǎ?/p>
直射法探傷時(shí)試件的探測(cè)面應(yīng)選在與缺陷最大表面()
底片干燥時(shí),一般不得超過(guò)60℃,是因?yàn)椋ǎ?/p>
散射比的大小與()因素有關(guān)。
著色滲透劑應(yīng)具有()性能。