氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長的方法是（）

低維材料主要包括（）

固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）

梯度功能材料的主要特征有（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

不屬于影響成核過程的因素有（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）

膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。