如圖，在充電后的平板電容器中插入電介質(zhì)，則（）
A.在1、2區(qū)部分，電容極板上的自由電荷面密度相同
B.在1、2區(qū)部分，兩電容極板間的電壓相同
C.在1、2區(qū)部分，兩電容極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度不同
D.在1、2區(qū)部分，對(duì)應(yīng)的電位移矢量大小相同
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.F/2
B.F/4
C.3F/8
D.F/10
如圖，不帶電的金屬導(dǎo)體球殼外有一電荷q，金屬內(nèi)及腔內(nèi)電場(chǎng)為零，即所謂被屏蔽，屏蔽原理為：（）
A.電荷q在金屬內(nèi)及腔內(nèi)不能產(chǎn)生電場(chǎng)
B.金屬外表面產(chǎn)生均勻分布的感應(yīng)電荷，感應(yīng)電荷在金屬內(nèi)及腔內(nèi)的電場(chǎng)為零
C.電荷q及感應(yīng)電荷在空間各點(diǎn)的和電場(chǎng)為零
D.在金屬內(nèi)及腔內(nèi)，電荷q及感應(yīng)電荷的電場(chǎng)大小相等方向相反
A.由于帶電體具有軸對(duì)稱性，電場(chǎng)強(qiáng)度可以由高斯定理求得
B.圓環(huán)中心的場(chǎng)強(qiáng)為零
C.圓環(huán)中心的電勢(shì)一定，其值為
D.以上說法全不對(duì)
有一接地的金屬球，用一彈簧吊起，金屬球原來不帶電，若在它的下方放置一電量為q的點(diǎn)電荷，如圖所示，則（）
A.只有當(dāng)q>0時(shí)，金屬球才下移
B.只有當(dāng)q<0時(shí)，金屬球才下移
C.無論q是正是負(fù)金屬球都下移
D.無論q是正是負(fù)金屬球都不動(dòng)
在一點(diǎn)電荷產(chǎn)生的靜電場(chǎng)中，一塊電介質(zhì)如圖所示放置，以點(diǎn)電荷所在處為球心做一球形閉合面，則對(duì)此球形閉合面（）
A.高斯定理成立，且可用它求出閉合面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)
B.高斯定理成立，但不能用它求出閉合面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)
C.由于電介質(zhì)不對(duì)稱分布，高斯定理不成立
D.即使電介質(zhì)對(duì)稱分布，高斯定理也不成立
最新試題
當(dāng)鐵磁體受到強(qiáng)烈震動(dòng)，或在高溫下受到劇烈熱運(yùn)動(dòng)的影響，磁疇便會(huì)瓦解，這時(shí)與磁疇聯(lián)系的一系列鐵磁性質(zhì)便會(huì)全部消失。
石墨材料具有一定的導(dǎo)電能力，與硅、鍺元素同屬半導(dǎo)體，但是不能采用渦流技術(shù)檢測(cè)石墨及其復(fù)合材料制品。
在無限長(zhǎng)載流空心螺線管內(nèi)同軸地插入一小塊圓柱形順磁介質(zhì)。若點(diǎn)1、2分別為圓柱介質(zhì)中靠近柱面而分別在柱面兩邊的兩個(gè)點(diǎn)，設(shè)點(diǎn)1、2處的磁感強(qiáng)度分別為B1、B2，磁場(chǎng)強(qiáng)度分別為H1、H2，則它們之間的關(guān)系為（）
當(dāng)冷變形度超過10%時(shí)，電阻稍有增加，通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2～6%。
居里點(diǎn)就是鐵磁性材料使用溫度的最高極限。
純金屬具有規(guī)則的晶格，因此電阻率很小，若雜質(zhì)含量極少，則不會(huì)導(dǎo)致金屬晶格的畸變，造成電子散射，不影響電阻率。
阻抗Z 的實(shí)部R 稱為電阻，Z 的虛部X 稱為感抗。
阻抗歸一化方法消除了原邊線圈阻抗以及激勵(lì)頻率對(duì)曲線位置的影響。
福斯特提出有效磁導(dǎo)率，用變化的磁場(chǎng)Hz和恒定的磁導(dǎo)率μ替代了實(shí)際上恒定的磁場(chǎng)H0和變化的磁導(dǎo)率。
理論上講，渦流在導(dǎo)體中的透入深度與渦流的頻率和導(dǎo)體的電磁特性有關(guān)，與激勵(lì)信號(hào)的強(qiáng)度無關(guān)。