如圖，不帶電的金屬導(dǎo)體球殼外有一電荷q，金屬內(nèi)及腔內(nèi)電場(chǎng)為零，即所謂被屏蔽，屏蔽原理為：（）
A.電荷q在金屬內(nèi)及腔內(nèi)不能產(chǎn)生電場(chǎng)
B.金屬外表面產(chǎn)生均勻分布的感應(yīng)電荷，感應(yīng)電荷在金屬內(nèi)及腔內(nèi)的電場(chǎng)為零
C.電荷q及感應(yīng)電荷在空間各點(diǎn)的和電場(chǎng)為零
D.在金屬內(nèi)及腔內(nèi)，電荷q及感應(yīng)電荷的電場(chǎng)大小相等方向相反
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A.由于帶電體具有軸對(duì)稱(chēng)性，電場(chǎng)強(qiáng)度可以由高斯定理求得
B.圓環(huán)中心的場(chǎng)強(qiáng)為零
C.圓環(huán)中心的電勢(shì)一定，其值為
D.以上說(shuō)法全不對(duì)
有一接地的金屬球，用一彈簧吊起，金屬球原來(lái)不帶電，若在它的下方放置一電量為q的點(diǎn)電荷，如圖所示，則（）
A.只有當(dāng)q>0時(shí)，金屬球才下移
B.只有當(dāng)q<0時(shí)，金屬球才下移
C.無(wú)論q是正是負(fù)金屬球都下移
D.無(wú)論q是正是負(fù)金屬球都不動(dòng)
在一點(diǎn)電荷產(chǎn)生的靜電場(chǎng)中，一塊電介質(zhì)如圖所示放置，以點(diǎn)電荷所在處為球心做一球形閉合面，則對(duì)此球形閉合面（）
A.高斯定理成立，且可用它求出閉合面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)
B.高斯定理成立，但不能用它求出閉合面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)
C.由于電介質(zhì)不對(duì)稱(chēng)分布，高斯定理不成立
D.即使電介質(zhì)對(duì)稱(chēng)分布，高斯定理也不成立
A.C1和C2極板上電量都不變
B.C1極板上電量增大，C2極板上電量不變
C.C1極板上電量增大，C2極板上電量減少
D.C1極板上電量減少，C2極板上電量增大
如圖，有N個(gè)電量均為q的點(diǎn)電荷，以?xún)煞N方式分布在相同半徑的圓周上，一種是無(wú)規(guī)則地分布，另一種是均勻分布，比較這兩種情況下在過(guò)圓心O并垂直于圓平面的z軸上任一點(diǎn)P的場(chǎng)強(qiáng)與電勢(shì)，則有（）
A.場(chǎng)強(qiáng)不等，電勢(shì)不等
B.場(chǎng)強(qiáng)相等，電勢(shì)相等
C.場(chǎng)強(qiáng)分量Ez相等，電勢(shì)相等
D.場(chǎng)強(qiáng)分量Ez相等，電勢(shì)不等
最新試題
金屬鋁、銀、銅、鐵在冷加工后，電阻一直隨著退火溫度的升高而下降。
阻抗歸一化方法消除了原邊線圈阻抗以及激勵(lì)頻率對(duì)曲線位置的影響。
兩種鐵磁性物質(zhì)組成固溶體時(shí)，它們飽和磁化強(qiáng)度的隨著固溶體的濃度增加而單調(diào)增加。
請(qǐng)用文字解釋?zhuān)杭僭O(shè)在空間里沒(méi)有其他電荷源的情況下，為什么多個(gè)帶電導(dǎo)體同時(shí)存在時(shí)，每個(gè)導(dǎo)體內(nèi)部都無(wú)電場(chǎng)。
福斯特提出有效磁導(dǎo)率，用變化的磁場(chǎng)Hz和恒定的磁導(dǎo)率μ替代了實(shí)際上恒定的磁場(chǎng)H0和變化的磁導(dǎo)率。
有效磁導(dǎo)率μeff是一個(gè)完全取決于頻率比f(wàn) /fg的大小的參數(shù)。
石墨材料具有一定的導(dǎo)電能力，與硅、鍺元素同屬半導(dǎo)體，但是不能采用渦流技術(shù)檢測(cè)石墨及其復(fù)合材料制品。
阻抗Z 的實(shí)部R 稱(chēng)為電阻，Z 的虛部X 稱(chēng)為感抗。
居里溫度是鐵磁性材料使用溫度的最高極限，是材料的固有特性，其高低與該物質(zhì)的化學(xué)組分和晶體結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)。
不同鐵磁性材料的飽和磁滯回線所包圍的面積是不同的，軟磁性材料的磁滯回線形狀肥大，包圍的面積大，表示其磁化困難。