A.一個理想開關(guān)
B.一個恒壓源
C.一個動態(tài)電阻
D.一條斜線
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A.死區(qū)電壓為0.1V，正向?qū)妷簽?.3V
B.死區(qū)電壓為0.3V，正向?qū)妷簽?.5V
C.死區(qū)電壓為0.5V，正向?qū)妷簽?.7V
D.死區(qū)電壓為0.7V，正向?qū)妷簽?.9V
A.PN結(jié)面積小，適用于高頻情況
B.PN結(jié)面積大，適用于高頻情況
C.PN結(jié)面積小，適用于低頻情況
D.PN結(jié)面積大，適用于低頻情況
A.反向
B.擊穿
C.擊穿反向
D.反向擊穿
下列關(guān)于PN結(jié)伏安特性方程中，正確的是（）。?
A.A
B.B
C.C
D.D
最新試題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。
在對數(shù)字鐘計時、校時模塊進行仿真時，設(shè)秒信號的周期為10ns，若要觀察24時制計數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號無效，計時使能信號有效的情況下，仿真需運行多長時間？（）
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有（）。
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
?CD放大器的性能特征有（）。?
CG放大器因其輸入電阻過小，因此沒什么用處。
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時，柵極直流電壓將會（），漏極直流電流將會（），輸入電阻將會（）。
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）
?若某放大器的輸入信號為電壓信號，輸出信號為電流信號，則以下描述正確的有（）。?