A.飽和
B.截止
C.放大
D.損壞
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A.基極電流
B.集電極電流
C.發(fā)射極電流
D.反向飽和電流
A.1
B.2
C.3
D.4
A.發(fā)射結(jié)由P指向N
B.集電結(jié)由P指向N
C.發(fā)射結(jié)由N指向P
D.集電結(jié)由N指向P
穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路如圖所示,其中UZ1=6V,UZ2=7V,且具有理想特性。由此可知輸出電壓Uo為()
A.0
B.6V
C.1V
D.7V
最新試題
?電路如圖所示,如果電容C2開路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(),漏極交流電壓將會(),增益將會()。
?在verilogHDL的數(shù)字表達方式用,和十進制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達方式有()。
當VGS=0時,能夠?qū)ǖ腗OS管為()
?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?
?MOSFET源極漏極間的長度L越大,溝道長度調(diào)制效應越明顯。???
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進行模塊范圍的定義,VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是()。
?verilogHDL中已經(jīng)預先定義了的門級原型的符號有()。
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個加數(shù),ci為來自低位的進位,sum為和,co為向高位的進位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是()。
已知某N溝道增強型MOS場效應管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
CG放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?