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材料科學基礎單項選擇題每日一練(2020.06.09)

來源：考試資料網(wǎng)

1 位錯塞積的一個重要效應是在它的前端引起（）

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2 位錯的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運動，結(jié)果導致空位或間隙原子的增值或減少。

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3 下列關于晶界的說法哪種是錯誤的（）。

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4 一般實際金屬結(jié)晶過程是（）

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5 對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。

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