問答題玉米卷葉基因(e)和矮稈基因(d)位于第三染色體上,相距18個單位,而抗銹基因(R)和窄葉基因(N)位于第10染色體上,相距24個單位。顯性基因E、D、R和N的純合植株同這些基因的隱性植株雜交,確定:在F2代中穩(wěn)定的矮稈、抗銹和正常葉的植株的期望百分率是多少?

您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題