假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。

?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???

現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進位，sum為和，co為向高位的進位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是（）。

?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?

?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。

?在verilogHDL的數(shù)字表達方式用，和十進制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達方式有（）。

?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。

?數(shù)字頻率計采用4個數(shù)字的BCD碼計數(shù)器，若采樣時間0.01s，那么它能夠測量的最大頻率是多少？（）

CD放大器因為源極輸出信號幾乎與柵極輸入信號變化一致，因此被稱為“源極跟隨器”。

?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。