以下關(guān)于試件達(dá)到磁飽和所需要磁場(chǎng)強(qiáng)度的敘述，錯(cuò)誤的是（）。

整流電流中包含的交流分量愈大，檢測(cè)近表面缺陷的能力愈小。

利用磁敏元件探測(cè)工件表面漏磁場(chǎng)時(shí)，探測(cè)的靈敏度與檢查速度及工件大小無(wú)關(guān)。

MRI 法與MT—RC 法相比其對(duì)比度大，靈敏度較高，工藝較易控制，可靠性高。

JB3965-85中規(guī)定，縱向磁化低填充系數(shù)的線圈磁化規(guī)范計(jì)算公式為：工件偏心放置時(shí)IN=45000/（D/L）；工件正中放置時(shí)IN=43000/[6L/（D-5）]

磁粉探傷綜合性能試驗(yàn)有哪幾種方法？應(yīng)在何時(shí)進(jìn)行？

以下關(guān)于磁粉探傷設(shè)備裝置的敘述，錯(cuò)誤的是（）。

以下關(guān)于交叉磁軛檢驗(yàn)焊縫的敘述，錯(cuò)誤的是（）。

熒光磁粉探傷過(guò)程中，當(dāng)不觀察磁痕時(shí)應(yīng)隨時(shí)關(guān)閉黑光燈，這樣可延長(zhǎng)黑光燈使用壽命，并可避免誤照人眼。

熒光磁粉受照射時(shí)產(chǎn)生的黃綠色熒光的波長(zhǎng)范圍為320～400nm。