填空題變址尋址方式中,操作數(shù)的有效地址等于()。
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動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
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()是指參與運算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
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柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
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已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補,正確結(jié)果為()。
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主存儲器通常由以下哪些部分組成?()
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寫出X=10111101的補碼表示,正確結(jié)果為()。
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已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補,正確結(jié)果為()。
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計算機的I/O接口是()之間的交接界面。
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RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
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()又稱字選法,所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。
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