多項(xiàng)選擇題使用Mem Processing軟件處理B-LWD井下存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)時(shí),發(fā)現(xiàn)R1接收極壞,其它正常,下列設(shè)置錯(cuò)誤的是()

A.必須選擇 Resistivity Individuals
B.不必選擇 Resistivity Individuals
C.Broken Receivers for 400Khz 選擇 R1
D.Broken Receivers for 2Mhz 選擇 R1


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1.多項(xiàng)選擇題使用Mem Processing軟件處理B-LWD井下存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)時(shí),發(fā)現(xiàn)T3發(fā)射極壞,其它正常,下列處理正確的是()

A.Broken Resistivity for 400khz 選擇 T3
B.Broken Resistivity for 2Mhz 選擇 T3
C.Broken Transmitters for 400khz 選擇 T3
D.Broken Transmitters for 2Mhz 選擇 T3

2.多項(xiàng)選擇題在B-LWD實(shí)時(shí)處理程序(Rt Proc)中,說(shuō)法正確的是()

A.坐卡(InSlip)用紅色表示
B.鉆進(jìn)(Drilling)用黑色表示
C.劃眼(Reaming)用紅色表示
D.接單根或立柱(Connection)用藍(lán)色表示

3.多項(xiàng)選擇題在B-LWD施工時(shí),在實(shí)時(shí)處理程序(RT Proc)中調(diào)整的是()

A.解碼
B.讀出數(shù)據(jù)
C.井深跟蹤、校正
D.儀器施工環(huán)境、鉆井液信息等輸入

4.多項(xiàng)選擇題B-LWD儀器進(jìn)行深度跟蹤時(shí),對(duì)于校準(zhǔn)井深下面說(shuō)法中錯(cuò)誤的是()

A.修改井深
B.強(qiáng)制到底
C.修改鉆頭位置
D.修改大鉤高度

5.多項(xiàng)選擇題B-LWD儀器對(duì)坐卡門限(In Slips Hkld)設(shè)置為500kN的理解,下列說(shuō)法中正確的是()

A.懸重高于500kN則判斷為坐卡狀態(tài)
B.懸重低于500kN則判斷為坐卡狀態(tài)
C.懸重高于500kN則判斷為離卡狀態(tài)
D.懸重低于500kN則判斷為離卡狀態(tài)