A.5KeV
B.10KeV
C.12KeV
D.15KeV
E.20KeV
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你可能感興趣的試題
A.高能X（γ）射線(xiàn)入射到人體或模體時(shí)，在體表或皮下產(chǎn)生高能次級(jí)電子
B.雖然所產(chǎn)生的高能次級(jí)電子射程較短，但仍需穿過(guò)一定深度直至能量耗盡后停止
C.在最大電子射程內(nèi)高能次級(jí)電子產(chǎn)生的吸收劑量隨組織深度增加而增加
D.高能X（γ）射線(xiàn)隨組織深度增加，產(chǎn)生的高能次級(jí)電子減少
E.劑量建成區(qū)的形成實(shí)際是帶電粒子能量沉積過(guò)程
A.2~6MeV
B.6~10MeV
C.10~15MeV
D.15~20MeV
E.4~22MeV
A.物理手段不能夠有效地提高治療增益
B.物理手段能夠改善靶區(qū)與周?chē)＝M織和器官的劑量分布
C.使治療區(qū)的形狀與靶區(qū)形狀一致，必須從兩維方向上進(jìn)行劑量分布的控制
D.“并行”組織的耐受劑量的大小不取決于受照射組織的范圍
E.腫瘤致死劑量與正常組織耐受劑量無(wú)差異
A.組織填充物
B.組織補(bǔ)償器
C.楔形板
D.射野擋塊
E.濾過(guò)板
A.CRT
B.SRT
C.IMRT
D.SRS
E.IGRT
最新試題
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到（）。
低LET射線(xiàn)照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線(xiàn)在低劑量段有肩區(qū)，提示（）。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱(chēng)性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度，定位精度和擺位精度。
射線(xiàn)能量越高，百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線(xiàn)光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱(chēng)性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線(xiàn)對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
對(duì)重離子，線(xiàn)性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。