A、128
B、64
C、32
D、16
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A、256chips
B、128chips
C、32chips
D、16chips
A、手機(jī)發(fā)射功率只有在撥打測試時(shí)才顯示
B、手機(jī)發(fā)射功率在任何時(shí)候都顯示
C、手機(jī)發(fā)射功率在手機(jī)為IDLE狀態(tài)下不顯示
D、手機(jī)發(fā)射功率直接反應(yīng)功率控制下UE側(cè)發(fā)射功率情況
A、基站數(shù)目較多、覆蓋半徑較小、話務(wù)分布較大的區(qū)域,天線的水平波瓣寬度應(yīng)選得大一點(diǎn)
B、對于業(yè)務(wù)信道定向賦形,全向天線的水平波瓣寬度的理論值為25度
C、在城市適合65度的三扇區(qū)定向天線,城鎮(zhèn)可以使用水平波瓣角度為90度,農(nóng)村則可以采用105度,對于高速公路可以采用20度的高增益天線
D、定向天線在0度賦形時(shí)水平波瓣寬度的理論值為17度,40度賦形時(shí)水平波瓣寬度的理論值為12.6度
A、TS1
B、TS2
C、TS5
D、TS6
A、高于
B、低于
C、等于
D、與PCCPCH信道的配置功率無關(guān)
最新試題
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無線資源。
站點(diǎn)勘察時(shí)需要收集的信息句括()。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對呼叫建立時(shí)延有較大影響。
用以測試駐波的儀器是(),一般駐波比小于()為正常。
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
LTE的規(guī)劃包括()。
創(chuàng)建承載不成功,SGW回給的CreateSessionResponse消息的原因?yàn)椤肞GWnotresponding,處理辦法是∶()。
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。
AMR寬帶語音幀通過RTP協(xié)議傳輸;而會話協(xié)商信息,通過SIP協(xié)議傳輸。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。