單項(xiàng)選擇題癲癎病灶部位在γCBF顯像的陽(yáng)性表現(xiàn)為()

A．發(fā)作期和發(fā)作間期均見局部放射性增高
B．發(fā)作期和發(fā)作間期均是局部放射性減低
C．發(fā)作期局部放射性減低，發(fā)作間期局部放射性增高
D．發(fā)作期局部放射性增高，發(fā)作間期放射性減低
E．發(fā)作期和發(fā)作間期均無(wú)放射性改變


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1.單項(xiàng)選擇題適用于單光子發(fā)射型斷層顯像的γ射線以能量多少合適()

A．25～50keV
B．50～100keV
C．100～300keV
D．300～500keV
E．>800kEV

2.單項(xiàng)選擇題核醫(yī)學(xué)診斷方法所依據(jù)的共同原理是()

A．放射性配體結(jié)合分析法原理
B．γ閃爍顯像原理
C．臟器功能檢測(cè)原理
D．放射自顯影原理
E．核素示蹤原理

3.單項(xiàng)選擇題放射性核素發(fā)生器(母牛)是()

A．一種層析儀器
B．體外放射性核素探測(cè)儀器
C．體內(nèi)臟器顯像儀器
D．放射性活度測(cè)量?jī)x器
E．一種從長(zhǎng)半衰期核素衰變產(chǎn)物中得到短半衰期核素的裝置

4.單項(xiàng)選擇題液體閃爍計(jì)數(shù)器主要用來(lái)測(cè)定()

A．α射線
B．β射線
C．γ射線
D．低能射線
E．中微子

5.單項(xiàng)選擇題帶電粒子能使閃爍物質(zhì)發(fā)出()

A．光電子
B．康普頓電子
C．電子對(duì)
D．熒光光子
E．俄歇電子