填空題在一個(gè)有四個(gè)過程段的浮點(diǎn)加法器流水線中,假設(shè)四個(gè)過程段的時(shí)間分別是T1=60ns﹑T2=50ns﹑T3=90ns﹑T4=80ns。則加法器流水線的時(shí)鐘周期至少為()。如果采用同樣的邏輯電路,但不是流水線方式,則浮點(diǎn)加法所需的時(shí)間為()。

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3.單項(xiàng)選擇題響應(yīng)中斷請求的條件是()。

A.外設(shè)提出中斷;
B.外設(shè)工作完成和系統(tǒng)允許時(shí);
C.外設(shè)工作完成和中斷標(biāo)記觸發(fā)器為“1”時(shí)。
D.CPU提出中斷。

最新試題

計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

()又稱字選法,所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。

題型:單項(xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.存儲矩陣B.全相聯(lián)映像C.組相聯(lián)映像D.虛擬存儲器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性(1)無論是動態(tài)存儲器還是靜態(tài)存儲器,都是由()、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。(2)在Cache的三種映像方式中,()實(shí)際上是對另外兩種映像方式的折中,是它們的普遍形式。(3)計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中,()是解決運(yùn)行大程序主存空間不足所使用的技術(shù)。(4)虛擬存儲器有三種地址空間,其中()用于存放運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。(5)多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng),是建立在程序運(yùn)行的()原理之上的。

題型:問答題

柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

題型:單項(xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計(jì)算D.數(shù)據(jù)計(jì)算E.控制器設(shè)計(jì)簡單F.控制器設(shè)計(jì)復(fù)雜(1)一個(gè)指令周期中,()是每一條指令都必須執(zhí)行的,所完成的功能對所有指令都相同。(2)一個(gè)指令周期中,()對多數(shù)指令所完成的功能是類似的。(3)一條指令在執(zhí)行過程中,一定要完成()并保存,以保證程序自動連續(xù)執(zhí)行。(4)指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是()。(5)指令流水線方式是提高計(jì)算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施,但它的()。

題型:問答題

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。

題型:單項(xiàng)選擇題

存儲器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒有。

題型:單項(xiàng)選擇題

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。

題型:單項(xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令(1)近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù),適合選用()接口。(2)遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息,更適合選用()接口。(3)接口與端口是兩個(gè)不同的概念,()是指接口電路中可以被CPU直接訪問的寄存器。(4)CPU通過()可以從有關(guān)端口讀取信息。(5)CPU也可以通過()把信息寫入有關(guān)端口。

題型:問答題