判斷題相鄰元素或基團(tuán)的電負(fù)性越強(qiáng)，俄歇電子的化學(xué)位移越大。
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2.多項(xiàng)選擇題影響俄歇電子強(qiáng)度的因素有（）
A.激發(fā)源能量
B.原子序數(shù)
C.電離截面
D.電子的平均自由程
3.多項(xiàng)選擇題俄歇電子的能量主要與以下哪些因素有關(guān)（）
A.初始空位能級
B.躍遷電子能級
C.激發(fā)源能量
D.填充電子能級
5.單項(xiàng)選擇題產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下（）
A.1000nm左右
B.2nm左右
C.100nm左右
D.20nm左右
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紅外光譜中官能團(tuán)區(qū)為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光電子產(chǎn)生的機(jī)理是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響俄歇電子強(qiáng)度的因素有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
材料分析的基本原理是指測量信號與材料成分、結(jié)構(gòu)等的特征關(guān)系。
題型：判斷題
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題型：多項(xiàng)選擇題
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題型：單項(xiàng)選擇題
在光電子能譜圖中，出現(xiàn)在主光電子峰高動能端的伴峰可能是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下（）
題型：單項(xiàng)選擇題
俄歇電子的化學(xué)位移較光電子更敏感。
題型：判斷題