A.功能單元的吞吐量界限
B.寄存器溢出
C.分支預(yù)測和預(yù)測錯誤懲罰
D.以上三個(gè)都是
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A.N*m/i
B.N*i/m
C.i*m/N
D.N/（m*i）
A.多個(gè)累積變量
B.重新結(jié)合變換
C.利用SIMD
D.以上三個(gè)都是
A.上界
B.下界
C.平均值
D.最小值
考慮下面的函數(shù)：
int min(int x,int y){return x
對于下面的代碼：
t=0;
for(i=max(x,y);i>=min(x,y);i--)
t+=i;
假設(shè)x=1,y=100,則可以得到函數(shù)調(diào)用的次數(shù)為（）
A.200
B.201
C.101
D.102
A.每元素的執(zhí)行時(shí)間
B.每次循環(huán)的周期數(shù)
C.每元素的周期數(shù)
D.每次循環(huán)的執(zhí)行時(shí)間
最新試題
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是（）。
（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
將十六進(jìn)制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
存儲在能永久保存信息的器件中的程序被稱為（）。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對于同一個(gè)數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號位相反。（2）浮點(diǎn)數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點(diǎn)數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來的。（5）在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項(xiàng)處理稱之為（）。
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。