A、2ms
B、4ms
C、8ms
D、12ms
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.PROM
B.FPM DRAM
C.SSD
D.EEPROM
A.16
B.32
C.64
D.128
A.每位晶體管數(shù)目多,訪問時(shí)間短,抗干擾強(qiáng),花費(fèi)高
B.每位晶體管數(shù)目多,訪問時(shí)間長(zhǎng),抗干擾強(qiáng),花費(fèi)高
C.每位晶體管數(shù)目少,訪問時(shí)間長(zhǎng),抗干擾弱,花費(fèi)高
D.每位晶體管數(shù)目少,訪問時(shí)間短,抗干擾強(qiáng),花費(fèi)低
A.1
B.2
C.3
D.4
A.只依賴于加載單元的延遲
B.只依賴于流水線的能力
C.既依賴于流水線的能力,也依賴于加載單元的延遲
D.對(duì)加載單元的延遲和流水線的能力都不依賴
最新試題
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過(guò)程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
()是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
在堆棧計(jì)算機(jī)中,保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場(chǎng)所是()。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為()。
若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的影響主要是()。
存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒有。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或(1)加法器是由()和相應(yīng)的邏輯電路組成的。(2)定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號(hào)位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算,其中()加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡(jiǎn)單,電路實(shí)現(xiàn)也最方便。(3)執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要(),否則無(wú)法確定是否正確。(4)使用雙符號(hào)位執(zhí)行加減法運(yùn)算后,若兩個(gè)符號(hào)位不同,即出現(xiàn)01和10,表示運(yùn)算結(jié)果()。(5)在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號(hào)位進(jìn)位,或符號(hào)位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出,可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的()操作來(lái)判斷。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的,在某級(jí)觀察者角度看到的機(jī)器被稱為(),只需要通過(guò)該級(jí)語(yǔ)言來(lái)了解和使用。