單項選擇題x存放在寄存器%eax中,c語言x<<2對應的匯編指令是()
A.SALL $2,%eax
B.SARL $2,%eax
C.SHRL $2,%eax
D.IMUL $2,%eax
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1.單項選擇題匯編代碼后綴l表示()
A.字節(jié)
B.字
C.雙字
D.位
2.單項選擇題以下哪項不屬于高速緩存參數(shù)的性能影響()
A.讀寫速率
B.命中率
C.命中時間
D.不命中處罰
3.單項選擇題以下哪項不屬于存儲器技術趨勢()
A.不同的存儲器技術有不同的價格和性能折中
B.不同存儲技術的價格和性能屬性以截然不同的速率變化
C.DRAM和磁盤的性能滯后于CPU性能
D.DRAM和磁盤的性能與CPU性能之間差距逐漸縮小
4.單項選擇題EDO DRAM是指()
A.快頁模式DRAM
B.同步DRAM
C.視頻DRAM
D.擴展數(shù)據(jù)輸出DRAM
5.單項選擇題某個磁盤,其旋轉(zhuǎn)速率為15000RPM,平均尋道時間為8ms,每條磁道的平均扇區(qū)數(shù)為500。則訪問這個磁盤上一個扇區(qū)的訪問時間是()。
A.8ms
B.9ms
C.10ms
D.12ms
最新試題
()又稱為萬國碼,是由許多語言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號的字符編碼方案。
題型:單項選擇題
已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結果為()。
題型:單項選擇題
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
題型:單項選擇題
柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
題型:單項選擇題
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。
題型:單項選擇題
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
題型:單項選擇題
已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補,正確結果為()。
題型:單項選擇題
存儲在能永久保存信息的器件中的程序被稱為()。
題型:單項選擇題
計算機采用總線結構的好處是()。
題型:多項選擇題
主存儲器通常由以下哪些部分組成?()
題型:多項選擇題