單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不屬于決定磁盤容量的技術(shù)因素()

A.間隙密度
B.記錄密度
C.磁道密度
D.面密度


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1.單項(xiàng)選擇題以下不屬于非易失性存儲(chǔ)器的是()

A.PROM
B.SRAM
C.閃存
D.EPROM

2.單項(xiàng)選擇題兩個(gè)連續(xù)的同類型運(yùn)算之間需要的最小時(shí)鐘周期數(shù)稱為()。

A.間隙
B.發(fā)射時(shí)間
C.延遲
D.開銷

3.單項(xiàng)選擇題完成運(yùn)算所需要的總時(shí)間稱為()。

A.周期
B.發(fā)射時(shí)間
C.延遲
D.開銷

4.單項(xiàng)選擇題以下不屬于低級優(yōu)化的是()

A.展開循環(huán)
B.重新結(jié)合
C.消除不必要的存儲(chǔ)器引用
D.用功能的風(fēng)格重寫條件操作

5.單項(xiàng)選擇題制約程序在實(shí)際機(jī)器上性能的因素不包括()。

A.寄存器溢出
B.存儲(chǔ)器溢出
C.分支預(yù)測
D.預(yù)測錯(cuò)誤處罰

最新試題

使用硬件堆棧時(shí),其中()移動(dòng)。

題型:單項(xiàng)選擇題

硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。

題型:單項(xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號(hào)位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。

題型:問答題

由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為()

題型:單項(xiàng)選擇題

將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。

題型:單項(xiàng)選擇題

柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

題型:單項(xiàng)選擇題

主存儲(chǔ)器通常由以下哪些部分組成?()

題型:多項(xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲(chǔ)器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復(fù)雜(1)微程序控制器是通過()的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。(2)微程序控制器的控制信號(hào)被讀出后,還需經(jīng)過一個(gè)()送到被控制部件。(3)相對硬連線控制器,微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)()。(4)為了獲得快一些的運(yùn)行速度,控制器部件應(yīng)選擇()。(5)()是微程序控制器的核心部件。

題型:問答題

RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。

題型:單項(xiàng)選擇題