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A.用程序計(jì)數(shù)器PC來產(chǎn)生后繼微指令地址
B.用微程序計(jì)數(shù)器µPC來產(chǎn)生后繼微指令地址
C.通過微指令順序控制字段由設(shè)計(jì)者指定或由設(shè)計(jì)者指定的判別字段控制產(chǎn)生后繼微指令地址
D.通過指令中指定一個(gè)專門字段來控制產(chǎn)生后繼微指令地址
A.數(shù)據(jù)總線
B.ALU
C.狀態(tài)條件寄存器
D.通用寄存器
A.業(yè)務(wù)層
B.鏈路層
C.物理層
D.串行總線管理
A.關(guān)中斷
B.開中斷
C.保存CPU現(xiàn)場
D.恢復(fù)CPU現(xiàn)場
A.存儲(chǔ)介質(zhì)
B.驅(qū)動(dòng)裝置
C.控制電路
D.計(jì)數(shù)器
最新試題
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對(duì)系統(tǒng)帶來的影響主要是()。
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。
計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為()。
已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結(jié)果為()。