核磁共振測(cè)井時(shí)，當(dāng)?shù)貙涌紫抖炔恍∮?5%時(shí)，孔隙度曲線重復(fù)測(cè)量值的相對(duì)誤差（）10%。

簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。

平移斷層斷層面一般較陡，可以是平直的，也可以是彎曲的。平移斷層在剖面上（）。

在（）的概念中，沉積環(huán)境和沉積巖特征的辯證關(guān)系是：沉積環(huán)境是形成沉積巖特征的決定因素，沉積巖特征則是沉積環(huán)境的物質(zhì)表現(xiàn)。

井壁微電阻率掃描成像儀器在均勻介質(zhì)中測(cè)量時(shí)，發(fā)自極板體的電扣電流和推靠器中心支架棒上的聚焦電流構(gòu)成的電流線總是相似的，與介質(zhì)的電阻率（）。

水平井中氣水兩相流動(dòng)時(shí)的流型有哪些？

核磁共振弛豫包括（）。

核磁共振弛豫受三種機(jī)制控制：表面弛豫、體積弛豫和（）。

井壁微電阻率掃描成像儀器的電扣越小，分辨率（），井壁電阻率掃描圖像越清晰。

影響核磁共振測(cè)井的主要因素包括（）、孔隙流體及巖石的潤(rùn)濕性和地層磁化率差異。