您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.約為原來(lái)的0.5倍
B.約為原來(lái)的2倍
C.約為原來(lái)的4倍
D.基本不變
A.晶體管把交流能量進(jìn)行放大
B.晶體管把小能量進(jìn)行放大
C.放大器不消耗電能
D.把直流電源提供的能量轉(zhuǎn)換成交流信號(hào)
A.共基極
B.共集電極
C.共發(fā)射極
D.不確定
A.電流放大作用
B.電壓放大作用
C.功率放大作用
D.儲(chǔ)存能量作用
最新試題
?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門(mén)級(jí)原型的符號(hào)有（）。
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)？（）
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
?TTL或非門(mén)組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?電路如圖所示，如果電容C2開(kāi)路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。