A.各次測(cè)量電纜受力不同
B.井口置零不當(dāng)
C.探測(cè)儀記錄點(diǎn)的深度延遲計(jì)算有誤
D.各種測(cè)井曲線的測(cè)量原理不同
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.下井儀器的重量
B.儀器與井壁的接觸狀態(tài)
C.測(cè)速
D.儀器的工作狀態(tài)
A.地質(zhì)意義
B.匹配關(guān)系
C.組合
D.位置
A.相差不大
B.嚴(yán)重
C.小
D.穩(wěn)定
A.微電極
B.底部梯度電阻率曲線
C.聲波
D.自然電位
A.穩(wěn)定性
B.相關(guān)性
C.電阻率
D.致密尖
最新試題
在薄互層中,泥漿侵入對(duì)井壁微電阻率掃描成像測(cè)量響應(yīng)的影響較之厚層()。
核磁共振弛豫包括()。
核磁共振弛豫受三種機(jī)制控制:表面弛豫、體積弛豫和()。
井壁微電阻率掃描成像儀器在均勻介質(zhì)中測(cè)量時(shí),發(fā)自極板體的電扣電流和推靠器中心支架棒上的聚焦電流構(gòu)成的電流線總是相似的,與介質(zhì)的電阻率()。
脈沖中子能譜測(cè)井儀的主要用途是什么?
VSP 測(cè)井是一種高分辨率的()勘探技術(shù)。
在()的概念中,沉積環(huán)境和沉積巖特征的辯證關(guān)系是:沉積環(huán)境是形成沉積巖特征的決定因素,沉積巖特征則是沉積環(huán)境的物質(zhì)表現(xiàn)。
微電阻率成像測(cè)井按井眼條件選擇扶正器,測(cè)井時(shí)極板壓力()。
微電阻率成像測(cè)井無(wú)效(壞)電極數(shù)不應(yīng)超過(guò)()。
常規(guī)測(cè)井評(píng)價(jià)復(fù)雜巖性?xún)?chǔ)層存在的難點(diǎn)有哪些?