A.0.5
B.1
C.0.2
D.2
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A.低，明顯
B.低，不明顯
C.高，明顯
D.高，不明顯
A.標(biāo)準(zhǔn)地層進(jìn)行檢測(cè)
B.深度標(biāo)準(zhǔn)井內(nèi)進(jìn)行深度校驗(yàn)
C.孔隙度標(biāo)準(zhǔn)井內(nèi)進(jìn)行誤差檢測(cè)
D.標(biāo)準(zhǔn)水層進(jìn)行流體檢驗(yàn)
A.差別較大
B.應(yīng)在允許誤差的范圍內(nèi)
C.完全對(duì)應(yīng)
D.差別大小由解釋人員的確定
A.校深
B.消磁
C.測(cè)量
D.注磁標(biāo)記
A.±5%
B.±10%
C.±3%
D.±15%
最新試題
電容法持水率計(jì)的現(xiàn)場(chǎng)刻度要求是什么？
在相同的外加磁場(chǎng)中，不同的原子核的進(jìn)動(dòng)頻率（）。
微電阻率成像三井徑曲線變化正常，除橢圓井眼外，在井眼規(guī)則處應(yīng)（）。
簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。
超聲波成像測(cè)井的影響因素為工作頻率、（）、測(cè)量距離、目的層的表面結(jié)構(gòu)、目的層的傾角和巖石的波阻抗差異。
當(dāng)?shù)貙涌紫抖刃∮?5%時(shí)，孔隙度曲線重復(fù)測(cè)量值的絕對(duì)誤差小于（）。
微電阻率成像測(cè)井無(wú)效（壞）電極數(shù)不應(yīng)超過(guò)（）。
影響核磁共振測(cè)井的主要因素包括（）、孔隙流體及巖石的潤(rùn)濕性和地層磁化率差異。
井壁微電阻率掃描成像儀器在均勻介質(zhì)中測(cè)量時(shí)，發(fā)自極板體的電扣電流和推靠器中心支架棒上的聚焦電流構(gòu)成的電流線總是相似的，與介質(zhì)的電阻率（）。
當(dāng)偶極子聲源在井內(nèi)振動(dòng)時(shí)，井壁附近產(chǎn)生撓曲波，它是一種（）。