A.40℃、40℃
B.40°、40℃
C.40℃、40°
D.40°、40°
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A.井徑規(guī)則
B.純砂巖段
C.曲線變化明顯
D.測(cè)量井段上部
A.儀器下放井底前先在測(cè)量井段上部測(cè)量
B.儀器下放井底前先在測(cè)量井段下部測(cè)量
C.主曲線測(cè)完后在測(cè)量井段上部測(cè)量
D.主曲線測(cè)完后在測(cè)量井段下部測(cè)量
A.10
B.20
C.25
D.50
A.1500
B.2000
C.2500
D.4000
A.測(cè)速和磁記號(hào)
B.測(cè)速和時(shí)間標(biāo)記
C.磁記號(hào)和張力曲線
D.測(cè)速、張力曲線、時(shí)間標(biāo)記和磁記號(hào)
最新試題
當(dāng)水體漸進(jìn)時(shí),沉積范圍逐漸擴(kuò)大,較新沉積層覆蓋了較老沉積層,并向陸地?cái)U(kuò)展,與更老的地層侵蝕面成不整合接觸,在柱狀剖面上,表現(xiàn)為下粗上細(xì)特征,這種現(xiàn)象稱為()。
VSP 測(cè)井是一種高分辨率的()勘探技術(shù)。
井壁微電阻率掃描成像儀器在均勻介質(zhì)中測(cè)量時(shí),發(fā)自極板體的電扣電流和推靠器中心支架棒上的聚焦電流構(gòu)成的電流線總是相似的,與介質(zhì)的電阻率()。
核磁共振測(cè)量結(jié)果幾乎不受()影響。
核磁共振弛豫受三種機(jī)制控制:表面弛豫、體積弛豫和()。
微電阻率成像三井徑曲線變化正常,除橢圓井眼外,在井眼規(guī)則處應(yīng)()。
電容法持水率計(jì)的現(xiàn)場(chǎng)刻度要求是什么?
常規(guī)測(cè)井評(píng)價(jià)復(fù)雜巖性儲(chǔ)層存在的難點(diǎn)有哪些?
簡述VSP 測(cè)井影響因素。
孔隙充滿液體的較純砂巖地層:核磁()近似等于密度/中子交會(huì)孔隙度。